本文分享标准SJ 50033/102-1995 GD 218型InGaAs/lnP PIN光电二极管详细规范，英文名称为Detail specification for InGaAs/InP photodiode for type GD 218。该标准起草单位为电子工业部第四十四研究所，批准单位为中国电子技术标准化研究所。该标准发布日期为1996-06-14，实施日期为1996-10-01。
本规范规定了军用GD 218型InGaAs/lnP PIN光电二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
《SJ 50033/102-1995 GD 218型InGaAs/lnP PIN光电二极管详细规范》全文pdf文件可以在下方下载，文件共有10页。
文件截图如下：
下载 SJ 50033_102-1995 GD 218型InGaAs_lnP PIN光电二极管详细规范.pdf（1.51MB）👇
资源下载
资源下载