SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范

本文分享标准SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范，英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power transistor for types 3CG110 GP、GT and types GCT classes。该标准起草单位为中国电子技术标准化研究所，批准单位为中国电子技术标准化研究所。该标准发布日期为1992-02-01，实施日期为1992-06-01。
本规范规定了3CG11OB、3CG11OC型PNP硅小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。

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